МОСКВА, 15 мар - РИА Новости. Открытия лауреата Нобелевской премии академика Жореса Алферова, который в понедельник отмечает 80-летие, позволило создать целое направление в микроэлектронике, а устройства, основанные на его исследованиях, окружают нас постоянно, сказал РИА Новости директор Физического института имени Лебедева (ФИАН) академик Геннадий Месяц.
"Это выдающийся ученый, который создал даже не направление, а эпоху в электронике", - сказал собеседник агентства о юбиляре.
Он отметил, что благодаря разработкам Алферова появились электронные полупроводниковые приборы на гетеропереходах, что позволило создать множество новых устройств.
"Это новые лазеры, новые переключающие устройства, которые в телефонах, в сотовой связи и везде. Это вся современная электроника, это совершенно новое направление в электронике", - сказал Месяц.
Жорес Алферов - вице-президент РАН, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года - родился 15 марта 1930 года в Витебске (Белоруссия). Окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института, с 1953 года работает в Физико-техническом институте имени Иоффе.
Ученый принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. С начала 1990-х годов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
Исследования академика заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как "зонная инженерия".
В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 года на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 года без заметного снижения мощности.
С 1989 года по 1992 год Алферов был народным депутатом СССР, с 1995 года - депутат Госдумы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).
В 2000 году ученый получил Нобелевскую премию по физике "за достижения в электронике" совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером.
Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер совместно получили половину денежной премии), а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).
В феврале 2001 года Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для талантливой учащейся молодежи, в целях содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан академиком из средств Нобелевской премии.
