Рейтинг@Mail.ru
Тариф на мощность для СШГЭС на 2010 год увеличен в 10 раз - ФСТ - РИА Новости, 24.11.2009
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Тариф на мощность для СШГЭС на 2010 год увеличен в 10 раз - ФСТ

Читать ria.ru в
Тариф на мощность для гидроэнергетического комплекса (ГЭК), который включает Саяно-Шушенскую ГЭС и Майнскую ГЭС, на 2010 год установлен в размере 927,77 тысячи рублей за 1 МВт в месяц, тариф на электрическую энергию - в размере 15,31 рубля за МВт.ч, говорится в сообщении Федеральной службы по тарифам (ФСТ) РФ.

МОСКВА, 24 ноя - РИА Новости. Тариф на мощность для гидроэнергетического комплекса (ГЭК), который включает Саяно-Шушенскую ГЭС и Майнскую ГЭС, на 2010 год установлен в размере 927,77 тысячи рублей за 1 МВт в месяц, тариф на электрическую энергию - в размере 15,31 рубля за МВт.ч, говорится в сообщении Федеральной службы по тарифам (ФСТ) РФ.

В 2009 году тарифная ставка на мощность для СШГЭС составляла 96,00 тысяч рублей за 1 МВт в месяц. Таким образом, в 2010 году она будет увеличена в 10 раз.

Ликвидация последствий аварии на Саяно-Шушенской ГЭС >>

Как пояснили РИА Новости в "РусГидро", "учитывается располагаемая мощность гидроэнергетического комплекса, которая составляет в настоящее время 220 МВт".

Крупнейшая в России Саяно-Шушенская ГЭС была остановлена после аварии 17 августа. Мощность станции до аварии составляла 6,4 тысячи МВт.

Ранее сообщалось, что правление ФСТ на заседании во вторник приняло решение о тарифах на электроэнергию для генерирующих компаний на 2010 год. Рост среднеотпускного тарифа составит 3,6%, в том числе для ОГК - 5,0% (до 941 рубля за Мвт.ч); для "РусГидро" - снижение на 6,4% (до 711,7 рубля за Мвт.ч); для ТГК - рост на 9,2% (до 1001,38 рубля за Мвт.ч); для атомных станций - снижение на 2,2% (до 935,8% за МВт.ч).

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала